在當今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，電源管理芯片作為各類電子設(shè)備的核心部件，其性能與可靠性直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。芯茂微作為開關(guān)電源芯片的專業(yè)供應(yīng)商，憑借其深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，在BJT（雙極型晶體管）驅(qū)動方案領(lǐng)域取得了顯著成就，為電源管理芯片的可靠性提升提供了有力保障。

一、BJT驅(qū)動方案的背景與挑戰(zhàn)

BJT作為一種傳統(tǒng)的半導體器件，因其獨特的電學特性，在電源管理領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。與MOSFET等其他類型的半導體器件相比，BJT具有更高的電流驅(qū)動能力、更低的導通電壓降以及更優(yōu)的開關(guān)性能。然而，BJT也面臨著一些挑戰(zhàn)，例如在高頻開關(guān)應(yīng)用中，其開關(guān)損耗較大，容易導致器件發(fā)熱，進而影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。此外，BJT的驅(qū)動電路設(shè)計相對復雜，需要精確控制基極電流，以實現(xiàn)快速且穩(wěn)定的開關(guān)動作。

二、芯茂微電子BJT驅(qū)動方案

（一）BJT耐壓部分說明

BJT的耐壓可以細分為以下指標，并且存在如下關(guān)系:Bvcez<BVceo<BVcer< BVces <BVcex<Bvcbo

LP3716XX系列采用我司自有專利，在內(nèi)部B、E腳位之間始終有電阻連接，使BJT的耐壓特性BVcer越接近BVces=700V。改善功率 BJT耐壓特性的專利如下圖1所示

（二）芯茂BJT在開啟、導通、關(guān)斷階段的獨特技術(shù)說明

BJT開啟階段

1.LP3716XX系列是基于DCM模式的PSR控制器,由于采用我司自有專利技術(shù),可以始終保證功率BJT在開通瞬間，耐壓也可以維持比較高的Bvcer。

2.與此同時,為了快速開通功率BJT,LP3716XXX系列采用了自有專利的過驅(qū)動設(shè)計(專利號:CN108462378B,CN112152429A);在開通功率BJT的起始階段,會用一個比較大的過驅(qū)動電流lbpk來快速打開功率管。

BJT導通階段

1.功率BJT開通后,功率管的導通損耗除了和系統(tǒng)設(shè)計的原邊峰值電流有關(guān)外,與自身的導通時刻VCE也強相關(guān)。

2.為了提高驅(qū)動效率,如圖2所示,LP3716XX系列還采用了專利的斜波驅(qū)動:可以保證VCE的導通電壓基本維持在0.2V以內(nèi),減小導通損耗。

3.功率BJT的hFE是正溫特性,當IC=0.7A左右的時候,高溫時會增加25%左右(如圖3所示),因此,溫度越高,同等驅(qū)動電流(芯片驅(qū)動電流接近零溫)情況下的VCE會越低,導通損耗越小。

BJT關(guān)斷階段

1.BJT關(guān)斷損耗集中在交越部分tc,并且估算出BJT的關(guān)斷損耗計算如下:

2.為了得到較低的關(guān)斷損耗,減少溫升,增加可靠性,從驅(qū)動角度的優(yōu)化,就需要盡可能的減小交越時間tc。

3.如圖2所示,LP3716XX系列采用了兩項技術(shù)來減小此時間:1)斜波驅(qū)動電流的峰值1B與原邊峰值電流IC成正比關(guān)系;2)采用預(yù)關(guān)斷技術(shù),提前將驅(qū)動電流減小為IBHOLD,保證可以快速關(guān)斷;我司BJT在正偏/反偏下的安全工作區(qū)，可確保BJT不會損壞。

BJT正偏(飽和狀態(tài))下的安全區(qū)

1.圖4為某款13003和13005工作在飽和區(qū)的SOA圖。

2.結(jié)合上述的LP3716XX系列的功率管工作過程可以看到,在系統(tǒng)設(shè)計的整個開關(guān)周期內(nèi),功率BJT都是在SOA的范圍并有足夠的margin，比如:

1)原邊峰值電流1C<1A;
2)原邊開通時間TONP<20us;
3)開通后的VCE<0.2V;

BJT反偏狀態(tài)下的安全區(qū)

1.圖5為某款13003和13005反偏狀態(tài)下的SOA圖。

2.基于LP3716XX系列的系統(tǒng)工作特點,在關(guān)閉功率BJT的瞬間,Base電壓會VBASE很下拉到0V,而此時的Emitter電壓,由于原邊峰值電流緩慢下降,所以VCE>0V。對于此時的功率BJT,會有一個反偏電壓的存在,并且會有一個大約-1V逐漸變?yōu)?V的過程。

3.基于上面的系統(tǒng)工作周期的說明,可以看到LP3716XX系列在此狀態(tài)下,也都在安全區(qū)內(nèi)并有足夠的margin，比如:

1)原邊峰值電流1C<1Afor13005;
2)原邊吸收電路存在;

三、芯茂微電子BJT驅(qū)動方案的可靠性驗證

（一）嚴格的測試流程

為了確保BJT驅(qū)動方案的可靠性，芯茂微電子建立了一套嚴格的測試流程。在產(chǎn)品開發(fā)階段，對BJT驅(qū)動芯片進行了全方位的性能測試，包括靜態(tài)特性測試、動態(tài)特性測試、開關(guān)速度測試、耐壓測試等。通過這些測試，確保了BJT驅(qū)動芯片在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行，滿足設(shè)計要求。此外，芯茂微電子還對BJT驅(qū)動方案進行了長期的可靠性測試，包括高溫老化測試、低溫測試、濕度測試、機械振動測試等。這些測試模擬了實際應(yīng)用中可能出現(xiàn)的各種極端環(huán)境條件，驗證了BJT驅(qū)動方案在長期運行過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

（二）實際應(yīng)用案例分析

芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案已經(jīng)在多個實際應(yīng)用中得到了廣泛驗證。例如，在某款高功率密度的開關(guān)電源產(chǎn)品中，采用芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案后，電源的轉(zhuǎn)換效率提高了5%，同時系統(tǒng)的溫升降低了10℃。在另一款用于工業(yè)控制的電源模塊中，芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案成功解決了傳統(tǒng)方案中存在的電磁干擾問題，使電源模塊能夠在強電磁干擾的工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定運行。這些實際應(yīng)用案例充分證明了芯茂微電子BJT驅(qū)動方案的可靠性和優(yōu)越性。

四、芯茂微電子BJT驅(qū)動方案的創(chuàng)新意義

芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案不僅在技術(shù)上取得了創(chuàng)新突破，還為電源管理芯片行業(yè)的發(fā)展帶來了深遠的影響。首先，該方案通過優(yōu)化的開關(guān)控制策略、專利的過驅(qū)動設(shè)計和獨特的斜率驅(qū)動技術(shù)，有效提升了BJT的開關(guān)性能和可靠性，為高頻開關(guān)電源、高功率密度電源等高端電源應(yīng)用提供了有力的技術(shù)支持。其次，芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案在設(shè)計過程中充分考慮了系統(tǒng)的電磁兼容性和熱管理問題，為電源管理芯片的集成化、小型化發(fā)展提供了新的思路和方法。最后，芯茂微電子通過嚴格的測試流程和實際應(yīng)用驗證，確保了BJT驅(qū)動方案的高質(zhì)量和高可靠性，為電源管理芯片行業(yè)的標準化和規(guī)范化發(fā)展做出了重要貢獻。

五、展望未來

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電源管理芯片的應(yīng)用場景將越來越廣泛，對芯片的性能和可靠性要求也將越來越高。芯茂微電子將繼續(xù)致力于BJT驅(qū)動方案的研發(fā)和創(chuàng)新，不斷優(yōu)化開關(guān)控制策略，提升驅(qū)動芯片的集成度和智能化水平。同時，芯茂微電子還將加強與國內(nèi)外高校、科研機構(gòu)的合作，積極開展前沿技術(shù)研究，探索新的半導體材料和器件結(jié)構(gòu)，為電源管理芯片的未來發(fā)展提供更多的技術(shù)儲備。我們有理由相信，在芯茂微電子等眾多企業(yè)的共同努力下，電源管理芯片行業(yè)將迎來更加美好的明天，為全球電子技術(shù)的發(fā)展做出更大的貢獻。

總之，芯茂微電子的BJT驅(qū)動方案以其先進的技術(shù)、嚴格的質(zhì)量控制和卓越的可靠性，在電源管理芯片領(lǐng)域樹立了新的標桿。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化，芯茂微電子將為電源管理芯片的未來發(fā)展提供更多的可能性，為全球電子設(shè)備的穩(wěn)定運行保駕護航。